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              拋光技術

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              東莞領升電鍍拋光設備之電鍍與精飾的V2O5薄膜的電化學性能

              圖3是未添加和添加3%CTAB制備的V2O5薄膜的循環伏安CV曲線。兩個樣品的CV曲線都出現了三對氧化還原峰,分別對應著三個可逆的相變,嵌鋰時還原峰在3.4、3.2和2.3V左右分別對應著a/k和y的相變過程,脫鋰時氧化峰在2.5、3.3和3.5V左右分別對應著y/k和a的相變過程 。CV曲線上氧化峰電們和還原峰電位之差,即反映了電極電化學反應的可逆性越大,電極反應的可逆性就越差,反之則反應的可逆性越好。從圖3中可以看出,電鍍拋光設備在添加3%CTAB的V2O5溶膠中電沉積的V2O5薄膜比在未添加CTAB的V2O5薄膜具有更高的電化學反應可逆性。

              圖4為未添加和添加3%CTAB的V2O5溶膠中制備的V2O5薄膜的交流阻抗譜圖EIS。從圖4中可以看出,兩個樣品的EIS譜圖都是由高頻區的半圓和低頻區的斜線組成。高頻區的半圓對應著電極電化學反應的電阻容抗弧,低頻區的斜線對應著質子擴散引起的Warburg阻抗。對EIS譜圖進行擬合可知,在未添加和添加3%CTAB的制備的V2O5薄膜的電化學反應阻抗分別為164.3歐和88.4歐。由此可見在添加3%CTAB制備的V2O5薄膜具有較小電化學反應更容易進行、活性更好,與CV測試結果一致的電鍍拋光設備。

              圖5是未添加和添加3%CTAB的V2O5溶膠中電沉積制備的V2O5薄膜的倍率性能曲線。小電流密度50MA/G下,在添加3%CTAB的V2O5薄膜具有272MAH/G的高放電比容量,而在未添加CTAB制備的V2O5薄膜放電比容量僅為241MAH/G,在200、500和1000MA/G電流密度下,在添加3%CTAB的V2O5溶膠中制備的V2O5薄膜放電比容量分別為252、196和146MAH/G,均比在未添加CTAB制備的V2O5薄膜的放電比容量高。

              圖6未添加和添加3%CTAB的V2O5溶膠中電沉積制備的V2O5薄膜在200MA/G充放電電流密度下的循環性能曲線。從圖6中可以看出,在添加3%CTAB制備的V2O5薄膜的最大放電比容量為247MAH/G,循環50圈以后仍具有194MAH/的放電比容量,電鍍拋光設備未添加CTAB制備的V2O5薄膜的最高放電比容量僅為163MAH/G,循環50圈以后放電比容量為140163MAH/G。








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